Сотрудники Университета штата Пенсильвания (США) и Саутгемптонского университета (Великобритания) показали, как можно создавать полупроводниковые приборы внутри оптоволокна. Первые опыты такого рода, напомним, были проведены в Массачусетском технологическом институте около года назад. Участники тех экспериментов формировали волокно путём вытягивания, предварительно проделав в «толстой» полимерной заготовке небольшие отверстия и вставив в них провода из олова и цинка, покрытые тонким слоем сульфида селена.
По мере вытягивания в объёме заготовки появлялись наноразмерные домены селенида цинка, и в результате исследователи получили распределённые по длине волокна полупроводниковые диоды
Свежие комментарии